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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 600V 80A YJD80G06A
Référence produit : YJD80G06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.90 € | — |
| 20 – 49 | 0.59 € | -34% |
| 50 – 99 | 0.54 € | -40% |
| 100 – 299 | 0.49 € | -46% |
| 300 – 499 | 0.46 € | -49% |
| 500 – 2499 | 0.44 € | -51% |
| 2500+Meilleur prix | 0.43 € | -52% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur | 600V |
| Courant collecteur | 80A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur | 2.2V |
| Tension de seuil grille-émetteur | 5.0V |
Description technique du produit (YJD80G06A):
Transistor IGBT 600V 80A YJD80G06A. Transistor IGBT de puissance, canal N, conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.