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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET canal P -30V -70A YJD70P03A
Référence produit : YJD70P03A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 1.10 € | — |
| 20 – 49 | 0.77 € | -30% |
| 50 – 99 | 0.70 € | -36% |
| 100 – 199 | 0.62 € | -44% |
| 200 – 299 | 0.56 € | -49% |
| 300 – 2499 | 0.54 € | -51% |
| 2500+Meilleur prix | 0.54 € | -51% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain | -70A |
| Résistance à l'état passant | 8.5mΩ (typ.) |
| Tension de seuil | -1V à -3V |
Description technique du produit (YJD70P03A):
Transistor MOSFET canal P -30V -70A YJD70P03A. MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.