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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET canal P -30V -45A YJD45P03A
Référence produit : YJD45P03A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.86 € | — |
| 20 – 49 | 0.55 € | -36% |
| 50 – 99 | 0.50 € | -42% |
| 100 – 299 | 0.46 € | -47% |
| 300 – 499 | 0.42 € | -51% |
| 500 – 2499 | 0.41 € | -52% |
| 2500+Meilleur prix | 0.41 € | -52% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source | -30V |
| Courant de drain | -45A |
| Résistance à l'état passant | 10 mΩ (typ. à Vgs=-10V, Id=-20A) |
| Tension de seuil | -1V à -3V |
Description technique du produit (YJD45P03A):
Transistor MOSFET canal P -30V -45A YJD45P03A. MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs DC-DC et la gestion de batterie.