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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 30V 180A YJD180N03A
Référence produit : YJD180N03A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.13 € | — |
| 10 – 29 | 0.80 € | -29% |
| 30 – 49 | 0.72 € | -36% |
| 50 – 99 | 0.65 € | -42% |
| 100 – 299 | 0.60 € | -47% |
| 300 – 2499 | 0.58 € | -49% |
| 2500+Meilleur prix | 0.58 € | -49% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Courant de drain (Id) | 180A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | typ. 2.5mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | typ. 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | typ. 100nC |
Description technique du produit (YJD180N03A):
Transistor MOSFET Canal N 30V 180A YJD180N03A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute efficacité.