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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 600V 110A YJB110G10B
Référence produit : YJB110G10B
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.23 € | — |
| 5 – 9 | 1.87 € | -16% |
| 10 – 19 | 1.74 € | -22% |
| 20 – 49 | 1.61 € | -28% |
| 50 – 99 | 1.52 € | -32% |
| 100 – 799 | 1.49 € | -33% |
| 800+Meilleur prix | 1.48 € | -34% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 110A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ) |
Description technique du produit (YJB110G10B):
Transistor IGBT 600V 110A YJB110G10B. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.