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Yangjie Electronic Technology
Diode Schottky 100V 2A YBS2010
Référence produit : YBS2010
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.50 € | — |
| 30 – 99 | 0.22 € | -56% |
| 100 – 199 | 0.19 € | -62% |
| 200 – 299 | 0.17 € | -66% |
| 300 – 499 | 0.16 € | -68% |
| 500 – 2999 | 0.14 € | -72% |
| 3000+Meilleur prix | 0.14 € | -72% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 100V |
| Courant direct (If) | 2A |
| Tension directe (Vf) | 0.75V @ 2A |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 50A |
| Courant de fuite (Ir) | 0.5mA |
Description technique du produit (YBS2010):
Diode Schottky 100V 2A YBS2010. Diode de redressement Schottky à barrière, conçue pour des applications de redressement à haute fréquence et de faible perte. Elle offre une faible tension directe et un temps de commutation rapide.