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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1200V 100A MG100HF12LEC1
Référence produit : MG100HF12LEC1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 68.09 € | — |
| 2 – 2 | 61.42 € | -10% |
| 3 – 3 | 56.14 € | -18% |
| 4 – 4 | 50.88 € | -25% |
| 5 – 9 | 46.93 € | -31% |
| 10+Meilleur prix | 45.32 € | -33% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 100A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.2V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (MG100HF12LEC1):
Transistor IGBT 1200V 100A MG100HF12LEC1. Module IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible perte de conduction et de commutation, une robustesse élevée et une fiabilité opérationnelle.