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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 650V 50A DGW50N65CTL1
Référence produit : DGW50N65CTL1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 8.08 € | — |
| 2 – 4 | 7.19 € | -11% |
| 5 – 9 | 6.50 € | -20% |
| 10 – 29 | 5.87 € | -27% |
| 30 – 59 | 5.39 € | -33% |
| 60+Meilleur prix | 5.21 € | -36% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 650 V |
| Courant collecteur (Ic) | 50 A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.0 V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0 V (typ.) |
Description technique du produit (DGW50N65CTL1):
Transistor IGBT 650V 50A DGW50N65CTL1. Transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute efficacité.