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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 50V 0.2A BSS138E
Vendu par lot de 200 (le prix affiché est pour un lot de 200)
Référence produit : BSS138E
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 9.16 € | — |
| 3 – 4 | 8.15 € | -11% |
| 5 – 14 | 7.25 € | -21% |
| 15 – 29 | 6.55 € | -28% |
| 30+Meilleur prix | 6.30 € | -31% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 50V |
| Courant de drain continu (Id) | 200mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 3.5 Ohm (typ.) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.6V à 1.2V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5nC (typ.) |
Description technique du produit (BSS138E):
Transistor MOSFET Canal N 50V 0.2A BSS138E. Le BSS138E est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance et de niveau logique. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les interfaces entre microcontrôleurs et charges.
. Vendu par lot de 200 (le prix affiché est pour un lot de 200)