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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123X
Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)
Référence produit : BSS123X
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 7.06 € | — |
| 3 – 4 | 6.23 € | -12% |
| 5 – 9 | 5.53 € | -22% |
| 10 – 29 | 5.02 € | -29% |
| 30+Meilleur prix | 4.80 € | -32% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 170mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6 Ohm à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5nC |
Description technique du produit (BSS123X):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123X. Le BSS123X est un transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et de régulation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux interfaces logiques.
. Vendu par lot de 100 (le prix affiché est pour un lot de 100)