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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123W
Vendu par lot de 200 (le prix affiché est pour un lot de 200)
Référence produit : BSS123W
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 7.52 € | — |
| 3 – 4 | 6.65 € | -12% |
| 5 – 14 | 5.88 € | -22% |
| 15+Meilleur prix | 5.29 € | -30% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 170mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6 Ohm (max) à Vgs=10V, Id=170mA |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.2nC (typ) |
Description technique du produit (BSS123W):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123W. Le BSS123W est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance et de gestion de signaux. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille adaptée aux interfaces logiques.
. Vendu par lot de 200 (le prix affiché est pour un lot de 200)