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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123E
Vendu par lot de 3000 (le prix affiché est pour un lot de 3000)
Référence produit : BSS123E
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 88.64 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 170mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 3V |
| Charge de grille (Qg) | 1.2nC (typ) |
Description technique du produit (BSS123E):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.17A BSS123E. Le BSS123E est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille adaptée aux circuits logiques.
. Vendu par lot de 3000 (le prix affiché est pour un lot de 3000)