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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1200V 40A DGW40N120CTL
Référence produit : DGW40N120CTL
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 8.78 € | — |
| 3 – 4 | 7.78 € | -11% |
| 5 – 9 | 7.08 € | -19% |
| 10 – 29 | 6.40 € | -27% |
| 30 – 59 | 5.87 € | -33% |
| 60+Meilleur prix | 5.66 € | -36% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.1V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (DGW40N120CTL):
Transistor IGBT 1200V 40A DGW40N120CTL. Le DGW40N120CTL est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et les entraînements de moteurs.