Transistor VNP10N07

Transistor VNP10N07. Transistor. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Protection G-S: Diode Zéner. Id(imp): 14A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 50uA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 70V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: limitation linéaire du courant. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.