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Vishay (siliconix)

Transistor MOSFET canal P -20V -4.5A SI9953DY

Référence produit : SI9953DY
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)-20 V
Courant de drain continu (Id)-4.5 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))45 mOhm (max à Vgs=-4.5V)
Tension de seuil (Vgs(th))-0.45 V à -1.0 V
Charge de grille (Qg)10 nC (typique)

Description technique du produit (SI9953DY):

Transistor MOSFET canal P -20V -4.5A SI9953DY. Le SI9953DY est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation de faible tension et de gestion de l'énergie, offrant une faible résistance à l'état passant.