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Vishay (siliconix)
Transistor MOSFET canal P -20V -4.2A SI2309CDS-T1-GE3
Référence produit : SI2309CDS-T1-GE3
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Description technique du produit (SI2309CDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET canal P -20V -4.2A SI2309CDS-T1-GE3. Transistor MOSFET à canal P conçu pour la commutation de puissance dans les applications basse tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les applications de gestion de puissance.