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Transistor MOSFET Canal N 20V 3.5A SI9926BDY
Référence produit : SI9926BDY
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.26 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 20V |
| Courant de drain | 3.5A |
| Résistance à l'état passant | 45mΩ (max) |
| Tension de seuil | 0.4V à 1.0V |
| Charge de grille | 4.5nC (typique) |
Description technique du produit (SI9926BDY):
Transistor MOSFET Canal N 20V 3.5A SI9926BDY. Transistor MOSFET double canal N à mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance.
