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Transistor MOSFET Canal N 30V 20A SI7485DP-T1-GE3
Référence produit : SI7485DP-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 5.42 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 30 V |
| Courant de drain continu | 20 A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 4.5 mΩ (typ.) à Vgs=10V |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1 V à 2.5 V |
| Charge de grille Qg | 18 nC (typ.) |
Description technique du produit (SI7485DP-T1-GE3):
Transistor MOSFET Canal N 30V 20A SI7485DP-T1-GE3. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances rapides.