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Transistor MOSFET Canal N 20V 5.3A SI3441BD

Référence produit : SI3441BD
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)20V
Courant de drain continu (Id)5.3A
Résistance à l'état passant (Rds(on))25mΩ (max) à Vgs=4.5V
Tension de seuil (Vgs(th))0.6V à 1.2V
Charge de grille (Qg)10nC

Description technique du produit (SI3441BD):

Transistor MOSFET Canal N 20V 5.3A SI3441BD. Le SI3441BD est un transistor MOSFET à canal N de puissance, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour la gestion de l'énergie dans les systèmes portables et les convertisseurs DC-DC.