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Transistor MOSFET canal P -20V -4.5A SI2333DDS-T1-GE3
Référence produit : SI2333DDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2999 | 1.57 € | — |
| 3000+Meilleur prix | 1.04 € | -34% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -20V |
| Courant de drain continu | -4.5A |
| Résistance à l'état passant | 30mΩ (à Vgs = -4.5V) |
| Tension de seuil | -0.4V à -1.0V |
| Charge de grille | 10.5nC |
Description technique du produit (SI2333DDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET canal P -20V -4.5A SI2333DDS-T1-GE3. Transistor MOSFET à canal P, conçu pour la commutation de puissance dans des applications compactes.