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Transistor MOSFET canal P -30V -2.6A SI2307CDS-T1-GE3
Référence produit : SI2307CDS-T1-GE3
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.71 € | — |
| 30 – 99 | 0.42 € | -41% |
| 100 – 199 | 0.37 € | -48% |
| 200 – 499 | 0.35 € | -51% |
| 500 – 2999 | 0.31 € | -56% |
| 3000+Meilleur prix | 0.31 € | -56% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -30V |
| Courant de drain continu (Id) | -2.6A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 85mΩ max à Vgs=-10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -1V à -2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 10.5nC typique |
Description technique du produit (SI2307CDS-T1-GE3):
Transistor MOSFET canal P -30V -2.6A SI2307CDS-T1-GE3. Le SI2307CDS-T1-GE3 est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de commutation de puissance à faible tension. Il offre une faible résistance à l'état passant, ce qui le rend efficace pour la gestion de l'énergie dans les appareils portables et les circuits de commutation.