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Vishay General Semiconductor
Diode rapide 1000V 1A US1M-E3-61T
Vendu par lot de 20 (le prix affiché est pour un lot de 20)
Référence produit : US1M-E3-61T
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 4.63 € | — |
| 2 – 9 | 2.99 € | -35% |
| 10 – 89 | 2.76 € | -40% |
| 90 – 359 | 2.36 € | -49% |
| 360+Meilleur prix | 2.16 € | -53% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 1000V |
| Courant direct (If) | 1A |
| Tension directe (Vf) | 1.7V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 30A |
| Temps de recouvrement (trr) | 50ns |
| Courant de fuite (Ir) | 5µA |
Description technique du produit (US1M-E3-61T):
Diode rapide 1000V 1A US1M-E3-61T. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour des applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance.
. Vendu par lot de 20 (le prix affiché est pour un lot de 20)