Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 55V. C (in): 650pF. C (out): 270pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 64A. Id (T=100°C): 11A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Dissipation de puissance maxi: 57W. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: FET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3.2A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -5.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR9014PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 5.6A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 8A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR9024N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR9024N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, TO252AA. Boîtier: TO252AA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: IRFR. Polarité: MOSFET P. Vdss (tension drain à source): -60V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 8.8A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: composant monté en surface (CMS). Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRFR9024PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Température de fonctionnement: 0.28 Ohms @ -5.3A. Type de montage: THT. Particularités: 15 ns. Information: 570pF. MSL: 2.5W

Transistor canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 5.6A. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.6A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET

Transistor canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4.2A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR9120N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 340pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.3A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR9220PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 5.6A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 8A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L5602S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V, -0.76A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 510pF. C (out): 71pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 2.4A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS H. Marquage sur le boîtier: H. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V, -3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 350 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 88pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -20V, -0.62A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 97pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 633pF. C (out): 145pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 2.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -20V, -3.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 350 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 588 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 633pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23/6. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: 2E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1079pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2560pF. C (out): 210pF. Diode CE: oui. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 25 ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 33A. Remarque: boîtier isolé. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. C (in): 12pF. C (out): 2210pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: P-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 270A. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 890W. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V