Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP50N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 70A, 50, TO-220, TO-220, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Boîtier (norme JEDEC): 50. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP70N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Spec info: Modèle PSPICE® à compensation de température. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: trr 0.1us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: trr 0.06us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: trr 0.06us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 178W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET

Transistor canal N, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 40A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns. Id(imp): 60.4k Ohms. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor MOSFET canal N

Transistor canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 360V. C (in): 85pF. C (out): 40pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 115mA. Idss (maxi): 115mA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 25pF. C (out): 10pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Interface et commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 0.8A. Marquage sur le boîtier: RKM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 2.5A. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TSMT3. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 10A. Remarque: sérigraphie/code CMS QY. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N-Ch MOS FET

Transistor canal N, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. C (in): 1830pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC, onduleurs. Protection G-S: oui. Id(imp): 35A. Marquage sur le boîtier: TB. Nombre de connexions: 8. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.0125 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET

Transistor canal N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Quantité par boîtier: 1. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos

Transistor canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1970pF. C (out): 310pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: IGBT haute vitesse. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: G30N60RUFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V

Transistor canal N, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 550pF. C (out): 62pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: G10N60A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: GP15N120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 30A. Courant de collecteur maxi (A): 52A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 750 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 198W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 112A. Marquage sur le boîtier: G30N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L6. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Marquage sur le boîtier: 4420AP. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET

Transistor canal N, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 12V. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 70A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V