Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6590pF. C (out): 1710pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 640A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 40V, 140A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL1404ZPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5080pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5080pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 790A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 100A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2203NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2203NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 360A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L2505S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3700pF. C (out): 630pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 190A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 20V, 110A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL3502. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 20V, 110A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L3502S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3600pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 94us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 89A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL3705N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5890pF. C (out): 3130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rds très faible. Protection G-S: non. Id(imp): 1040A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. Id (T=100°C): 170A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: résistance passante Rds-on très faible. Remarque: UltraLow Gate. Dissipation de puissance maxi: 200W. Technologie: SMPS MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 30 v, 260A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L3713S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5890pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 98A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 140A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRL3803. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 30 v, 140A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L3803S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/7, 40V, 360A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 7. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 67 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 222 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 19680pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 416W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. Remarque: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 48W. Technologie: V-MOS TO220A

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L520N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C