Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 14A, 180W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Boîtier (norme JEDEC): 180W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP450PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 92 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. Id (T=100°C): 121A. Id (T=25°C): 694A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 150V. C (in): 10470pF. C (out): 977pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 171A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 517W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 4200pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3940pF. C (out): 152pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 437ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 62A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 278W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 117 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3600pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, charge de grille ultra faible. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP460LCPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 500V, 20A, 500V, TOP-3 (TO-247). Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier: TOP-3 (TO-247). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 250W

Transistor canal N, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 130A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 520A. Dissipation de puissance maxi: 520W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maxi): 72A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power-MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 300A. Idss (min): 0.1uA. Remarque: Haute fréquence. Dissipation de puissance maxi: 190W. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V

Transistor canal N, TO-247AC, 100V, 72A, 100V, 0.014 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Marquage du fabricant: IRFP4710PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 72A. Puissance: 190W

Transistor canal N, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 66A. Id (T=25°C): 94A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1070pF. C (out): 6040pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 380A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 580W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 94A, 580W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Boîtier (norme JEDEC): 580W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP90N20DPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 580W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2100pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA-. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 33 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 600V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPC50PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 88 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 3900pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 64A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 5.4A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1900pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, ORION TV. Protection G-S: non. Id(imp): 22A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 800V, 5.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPE40PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 7.8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 800V. C (in): 3100pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 31A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 800V, 1.2 Ohms, TO-247AC HV. Tension drain - source (Vds): 800V. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247AC HV. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 7.8A. Puissance: 190W

Transistor canal N, 4.7A, 4.7A, TO-247, TO-247AC, 900V. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 4.7A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 900V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: <63/214ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS L

Transistor canal N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2900pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 27A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 900V, 6.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFPF50PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v