Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 140mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: A1209. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2911

Transistor PNP, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): 2-5K1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 40pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: NY. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie / code CMS NY. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D3/B, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D3/B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI, NF-E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3182. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3263

Transistor PNP, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): MT-100. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Fonction: Audio HIFI. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3263. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 17A, 230V. Courant de collecteur: 17A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3264. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI-NF-E. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3280

Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI-NF-E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3281

Transistor PNP, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3284. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3298. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3299

Transistor PNP, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F (2-8A1H). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3421Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier (selon fiche technique): 2-8H1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3423. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Fonction: vidéo. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): MT-100(TO3P). Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Marquage sur le boîtier: A1386A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Poids: 6g. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3519A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/50V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, 5A, 35V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/25V, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Marquage sur le boîtier: A1492. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3856

Transistor PNP, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: Hi-def, Cre=2.2pF. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3953