Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD652. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 10A, 45V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD678. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD677A. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Résistance B: oui. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 14W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD682G. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, 120V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD810G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-202. Boîtier (selon fiche technique): TO-202; SOT128B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 75 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 8W. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD829. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 8A, 100V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: PNP. Remarque: >750. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD901

Transistor PNP, 15A, 45V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): +150°C. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911

Transistor PNP, 5A, 45V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDP950. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT65C. Diode BE: oui. Diode CE: oui

Transistor PNP, 15A, 100V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 130.42144

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV64BG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1000. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65B

Transistor PNP, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C

Transistor PNP, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Diode BE: non. Diode CE: non