Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 31A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 42 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 28A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 56A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 34A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 68A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Fonction: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 175 ns. Td(on): 27 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.59V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: UltraFast CoPack IGBT. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: IRG4BC30UD. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 23A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 91 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 92A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30U. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 23A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 91 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 92A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 980pF. C (out): 71pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Fonction: transistor MOSFET de puissance jusqu'à 150 kHz. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: IRG 4BC30W. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC40K. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC40S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 650 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC40U. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 34 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 31A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 42 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 920pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 42 ns. Courant de collecteur: 28A. Ic(puls): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.21V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor IGBT ultra-rapide. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 28A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 58A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 34A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 68A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 42 ns. Fonction: ULTRA FAST. Courant de collecteur: 23A. Ic(puls): 92A. Id (T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: IRG4PC30UD. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 23A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 91 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 92A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Conditionnement: TO-247AC. Unité de conditionnement: montage traversant pour circuit imprimé. Trr Diode (Min.): 42 ns. Courant de collecteur: 49A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 27A. Marquage sur le boîtier: 230 ns. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 63 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Marquage sur le boîtier: G4PC40K. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 42 ns. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 42A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40K. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 42A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2100pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 34 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.72V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 27 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: non. Diode au Germanium: non