Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC549C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): +150°C. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC556B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546B

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC556B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Courant de collecteur: -0.1A. Puissance: 0.5W. Boîtier: TO-92

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546C

Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo-Pak ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547B

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: -0.2A. Puissance: 0.5W. Boîtier: TO-92

Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C559A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 200...450. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550B

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 380. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Diode BE: transistor PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): TO-226AA. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C

Transistor. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Date de production: 1997.04. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non