Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): 30W. Plage de température de fonctionnement max (°C): montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Courant de collecteur: 3.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Io-sat. Courant de collecteur: 3A. Remarque: >500. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 0.3A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 2.37k Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( MT-100 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: S Io-sat. Courant de collecteur: 2A. Remarque: sérigraphie/code CMS DT. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1561

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: D2394. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V

Transistor. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 6A. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1625

Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA Hi-r. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Remarque: Vce(sat)=5V

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 3A. Puissance: 1.5W. Fréquence maxi: 50 MHz. Boîtier: MT-3-A1

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 6A. Marquage sur le boîtier: D2589. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659

Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: 2A. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Boîtier: TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 7A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 22W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V