Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 250 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1360

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: hFE 15...30. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: hFE 20...40. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 1.7pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3467. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-51 ( MP ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hauteur 9mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Fonction: Video, Hi-def. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. C (out): 2.6pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3503-D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 7W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Amplificateur de tension audio, définition CRT, sortie vidéo. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1381. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 250pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi. Technologie: Transistor planaire épitaxial NPN. Boîtier (selon fiche technique): TO3P-3L. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1386A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250MHz. Fonction: Hi-beta. Gain hFE maxi: 3200. Gain hFE mini: 800. Courant de collecteur: 700mA. Ic(puls): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-43B, TO92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.14V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/800V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Applications de commande basse fréquence. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Remarque: hFE 140...280. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1480

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/18V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Fonction: S-L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/16V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W