Transistor ZTX851

Transistor ZTX851. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat)0.92V. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 1.58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.