Transistor TSM048NB06LCR-RLG

Transistor TSM048NB06LCR-RLG. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 78 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6253pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.