Transistor STW20NM50FD

Transistor STW20NM50FD. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W20NM50FD. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.