Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 5.06€ | 6.07€ |
5 - 9 | 4.81€ | 5.77€ |
10 - 20 | 4.55€ | 5.46€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.06€ | 6.07€ |
5 - 9 | 4.81€ | 5.77€ |
10 - 20 | 4.55€ | 5.46€ |
Transistor STW12NK90Z. Transistor. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.