Transistor STW12NK80Z

Transistor STW12NK80Z. Transistor. C (in): 2620pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 635 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 42A. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 10.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.