Transistor STP5NK80Z

Transistor STP5NK80Z. Transistor. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.