Transistor SPD08P06P

Transistor SPD08P06P. Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.