Transistor SKW30N60HS

Transistor SKW30N60HS. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.