Transistor SKW25N120

Transistor SKW25N120. Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 280 ns. Fonction: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Courant de collecteur: 46A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: K25N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 313W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 730 ns. Td(on): 45 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.