Transistor SKW20N60

Transistor SKW20N60. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 107pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Fonction: S-IGBT rapide en technologie NPT. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 179W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.