Transistor SI4946BEY-T1-E3

Transistor SI4946BEY-T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.