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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor RSQ035P03

Transistor RSQ035P03
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.91€ 1.09€
5 - 9 0.86€ 1.03€
10 - 24 0.82€ 0.98€
25 - 49 0.77€ 0.92€
50 - 65 0.75€ 0.90€
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Transistor RSQ035P03. Transistor. C (in): 780pF. C (out): 180pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Id(imp): 14A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: TM. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 65m Ohms. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.6mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSMT6. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 6. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 3000. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 20:25.

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Transistor. C (in): 530pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 365P. Marquage sur le boîtier: 365 P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: onduleurs, alimentations électriques. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 530pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 365P. Marquage sur le boîtier: 365 P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: onduleurs, alimentations électriques. Protection G-S: non
Lot de 1
0.59€ TTC
(0.49€ HT)
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