Transistor RJP63F4A

Transistor RJP63F4A. Transistor. C (in): 1250pF. C (out): 40pF. Type de canal: P. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 200A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 630V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 20:25.