Transistor RFD14N05SM9A

Transistor RFD14N05SM9A. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F14N05. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 20:25.