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Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G
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Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G. Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 4.5pF. C (out): 10pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0281. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 07:25.

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Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 (...
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Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Diode BE: non. Diode CE: non
MJL1302A
Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Diode CE: oui
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Diode CE: oui
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Diode BE: non. Diode CE: non
MJL3281A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Diode BE: non. Diode CE: non
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