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Transistor PNP -80V -8A MJD45H11G
Référence produit : MJD45H11G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.52 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur Vceo | -80V |
| Courant collecteur Ic | -8A |
| Gain en courant continu hFE | 1000 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation Vce(sat) | -1.3V (max) |
| Fréquence de transition fT | 4 MHz |
| Boîtier | DPAK (TO-252) |
Description technique du produit (MJD45H11G):
Transistor PNP -80V -8A MJD45H11G. Transistor bipolaire Darlington PNP conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance. Il offre un gain en courant élevé et une capacité de courant de collecteur importante.