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Transistor PNP -80V -1A 2SB647-SMD

Référence produit : 2SB647-SMD
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)-80V
Courant collecteur (Ic)-1A
Gain en courant continu (hFE)60-200
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))-0.3V (max) @ Ic=-500mA, Ib=-50mA
Fréquence de transition (fT)140 MHz (typique)

Description technique du produit (2SB647-SMD):

Transistor PNP -80V -1A 2SB647-SMD. Transistor bipolaire PNP de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification à usage général.