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Transistor PNP -80V -0.5A MMBTA56LT1G-2GM
Référence produit : MMBTA56LT1G-2GM
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.22 € | — |
| 100 – 999 | 0.11 € | -50% |
| 1000+Meilleur prix | 0.07 € | -68% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | -80 V |
| Courant collecteur (Ic) | -500 mA |
| Gain en courant continu (hFE) | 100 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | -0.25 V (max) |
| Fréquence de transition (fT) | 100 MHz (min) |
Description technique du produit (MMBTA56LT1G-2GM):
Transistor PNP -80V -0.5A MMBTA56LT1G-2GM. Transistor bipolaire PNP de petite puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification générale.